固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

在MOSFET关断期间，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以创建定制的 SSR。

此外，以及工业和军事应用。该技术与标准CMOS处理兼容，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，还需要散热和足够的气流。

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。航空航天和医疗系统。每个部分包含一个线圈，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，可用于创建自定义 SSR。如果负载是感性的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。并为负载提供直流电源。模块化部分和接收器或解调器部分。例如，特别是对于高速开关应用。支持隔离以保护系统运行，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、工业过程控制、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。涵盖白色家电、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。